電子束蒸發(fā)鍍膜儀設備用途：

用于制備導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜等，廣泛應用于大專院校、科研機構的科研及小批量生產(chǎn)。

電子束蒸發(fā)鍍膜儀技術參數(shù)：

結構形式		真空室采用U型箱體前開門，后置抽氣系統(tǒng)
真空室		500×500×600mm2
真空系統(tǒng)配置		復合分子泵、機械泵、閘板閥
極限壓力		≤6. 67×10-5Pa (經(jīng)烘烤除氣后）；
恢復真空時間		45分鐘可達到6. 67×10-4Pa (系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥 氮氣后）
電子束 蒸發(fā)源	e型電子槍	陽極電壓：6kv、8kv;
	數(shù)量（套）	1
	坩堝	水冷式坩堝，四穴設計，每個容量11ml
	功率	0一6 KW可調(diào)
電阻蒸發(fā)源 (可選）	電壓	5、10V
	功率	電流300A，*大輸出功率3KW
	數(shù)量	1套，可切換
	水冷電極	3根，組成2個蒸發(fā)舟
工件架類型及尺寸		基片尺寸：可放置4”基片，加熱zui高溫度800℃±1℃ ,基片可連續(xù)回轉，轉速5~60轉/分 基片與蒸發(fā)源之間距離300~350mm可調(diào)，手動控制樣品擋板組件1套
氣路系統(tǒng)		200SCCM質(zhì)量流量控制器1路
石英晶振膜厚控制儀		監(jiān)測膜厚顯示范圍：0~99 u 9999A;
設備占地面積	主機	900×800mm2
	電控柜	800×800mm2 (兩個）

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